STN5PF02V技术参数详情：
STN5PF02V是意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的P沟道功率MOSFET。该器件在SOT-223封装内集成了20V的漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流处理能力，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。
其核心优势在于优异的导通特性，在4.5V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大仅为80毫欧，能显著降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大6nC）和适中的阈值电压，使其易于被微控制器等低压逻辑电路直接驱动，有助于简化系统设计并提升开关效率。
该器件工作结温范围宽（-55°C至150°C），适用于要求高可靠性的环境，是便携式设备电源管理、DC-DC转换及电机控制等中低功率应用的理想解决方案。
- 型号:STN5PF02V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 2.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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