STN888技术参数详情：
STN888是ST意法半导体推出的一款PNP型功率双极性晶体管（BJT），采用SOT-223（TO-261-4）表面贴装封装。其核心电气规格包括30V的集射极击穿电压和5A的最大集电极电流，能够处理中高功率负载。
该器件的突出优势在于其优异的导通特性，在500mA基极电流驱动下，即使集电极电流高达10A，其饱和压降也仅为1.2V（最大值），这显著降低了导通损耗。同时，其在工作点（500mA, 1V）下的电流增益（hFE）最小值为100，确保了高效的电流放大能力。1.6W的最大功耗和150°C的最高结温使其具备可靠的功率处理能力和宽泛的工作温度范围。
- 型号:STN888
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS PNP 30V 5A SOT-223
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.2V @ 500mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:10A（ICBO）
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 500mA，1V
- 功率 - 最大值:1.6 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装:SOT-223
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