STO67N60DM6技术参数详情：
STO67N60DM6是STMicroelectronics推出的MDmesh DM6系列N沟道功率MOSFET，采用先进的超结技术，在600V漏源电压（Vdss）和33A连续漏极电流（Id）的规格下，实现了优异的性能平衡。
其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值59mΩ @ 10V, 23.75A）和优化的栅极电荷（Qg最大值72.5nC @ 10V），这直接转化为更低的传导与开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用热性能优异的TOLL（HV）表面贴装封装，支持高达150W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。
- 型号:STO67N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TOLL（HV）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TOLL（HV）
- 封装/外壳:8-PowerSFN
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