STP10N65K3技术参数详情：
STP10N65K3是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的竞争力，包括650V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为电源系统提供了坚实的耐压和载流基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（RdsOn）最大值仅为1欧姆，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，最大42nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关切换，有利于提升整体电源效率并简化驱动电路设计。
- 型号:STP10N65K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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