STP10NK80Z技术参数详情：
STP10NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至900毫欧（@10V Vgs）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗，提升系统效率。
器件在壳温条件下可承受9A的连续漏极电流，最大功耗达190W，并采用TO-220AB通孔封装，便于散热管理。其优化的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗。这些特性使其成为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）电路及工业电源等高压、高可靠性应用的理想选择。
- 型号:STP10NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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