STP10NM50N

STP10NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MDmesh II产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）和7A连续漏极电流，其关键优势在于实现了低导通电阻（Rds(on)典型值630mΩ @ 10V）与低栅极电荷（Qg）的良好结合。

这种特性组合使其特别适合高频开关应用，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-220封装，提供70W的功率处理能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的鲁棒性和可靠性。

• 型号:STP10NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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