STP11NK40Z技术参数详情：
STP11NK40Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于400V漏源电压（Vdss）下实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。
器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为9A，最大功率耗散达110W。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs条件下典型值为550mΩ，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为32nC，这有助于实现高效率与快速的开关速度。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和标准的TO-220AB封装，使其能够适应严苛的工业环境要求。
- 型号:STP11NK40Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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