STP11NM50N

STP11NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的网格状漏极结构技术，旨在优化高压应用下的效率与可靠性。

其核心电气参数包括500V的漏源电压（V_DSS）和8.5A的连续漏极电流（I_D），提供了强大的功率处理能力。关键优势在于其低导通电阻（典型值470mΩ @ 10V, 4.5A）与低栅极电荷（最大值19nC @ 10V），这两者的结合显著降低了导通与开关损耗，有助于提升整体系统效率。器件采用TO-220AB封装，支持通孔安装，便于散热管理。

• 型号:STP11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP11NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。