STP11NM60FD

STP11NM60FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数表现为600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了低导通电阻（450mΩ @ 5.5A, 10V）与低栅极总电荷（40nC @ 10V）的优化组合。这一特性使其在导通损耗和开关损耗方面均有出色表现，特别适合要求高效率和高开关频率的功率转换场景。结合其高达160W（Tc）的功率处理能力，该器件是设计紧凑、高效能电源系统的可靠选择。

• 型号:STP11NM60FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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