STP11NM60FP技术参数详情：
STP11NM60FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与11A连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。器件具备低至450毫欧的导通电阻（Rds(on)），有效降低了功率传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）仅为30nC，确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升开关电源的工作频率与整体效率。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机控制及功率转换系统中主开关元件的理想选择之一。
- 型号:STP11NM60FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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