STP11NM80技术参数详情：
STP11NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与11A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有效减少了导通损耗；同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容特性确保了快速的开关速度和较低的开关损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能、高可靠性设计的理想选择。
- 型号:STP11NM80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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