STP120N10F4技术参数详情：
STP120N10F4是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件在壳温（Tc）条件下可支持高达120A的连续漏极电流和300W的最大功率耗散，具备出色的高电流处理与功率承载能力。
其设计侧重于降低导通损耗，10V的驱动电压有助于实现较低的导通电阻，从而提升电源转换效率。宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 175°C）与±20V的栅源电压耐受能力，确保了其在工业控制、电源管理及电机驱动等严苛应用环境中的稳定性和可靠性。
- 型号:STP120N10F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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