STP120NF10

STP120NF10是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能STripFET II系列。该器件设计用于处理高达110A的连续漏极电流，其100V的漏源电压额定值为48V系统应用提供了可靠的电压余量。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下典型值仅为10.5mΩ，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（最大233nC @ 10V）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的电源转换与电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STP120NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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