STP12N120K5

STP12N120K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为1200V漏源电压（V_DSS）和12A连续漏极电流（I_D），专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。它提供了极低的导通电阻（R_DS(on)典型值690mΩ @ 10V）和栅极电荷（Q_g典型值44.2nC @ 10V），这共同作用以最小化导通与开关损耗。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和250W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STP12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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