STP12NM50技术参数详情：
STP12NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的电气基础。
其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡：350毫欧的低导通电阻（Rds(on)）有助于最小化传导损耗，而39nC的低栅极电荷（Qg）则有利于实现快速开关并降低驱动损耗。封装采用标准的TO-220AB，支持高达160W（Tc）的功率耗散，确保了良好的热管理能力。
- 型号:STP12NM50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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