STP12NM50FD

STP12NM50FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，在10V驱动电压、6A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为400毫欧，而栅极电荷（Qg）最大值为12nC。这一特性组合有助于同时降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持±30V的栅源电压，工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了设计的稳健性与环境适应性。

• 型号:STP12NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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