STP12PF06技术参数详情：
STP12PF06是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件核心规格为60V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id），能够满足中功率级别的开关需求。
其关键电气参数定义了出色的性能表现：在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至200毫欧（@10A），有效降低了导通损耗；同时，最大21nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，并具备60W的功率耗散能力，确保了在多种环境下的应用可靠性。
- 型号:STP12PF06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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