STP130N6F7

STP130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理效率，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值5mΩ @ 10V, 40A）与高达80A的连续漏极电流能力相结合，能显著降低系统传导损耗。

其60V的漏源电压额定值及优化的动态参数（如低栅极电荷），确保了在开关电源和电机控制等应用中具备快速响应与低开关损耗的特性。采用TO-220AB封装，提供良好的功率耗散能力，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的工业与汽车环境。

• 型号:STP130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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