STP130NH02L

STP130NH02L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220封装，设计用于低压、大电流的开关应用。

其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至4.4毫欧（@45A），同时连续漏极电流（I_D）在25°C壳温下可达90A，这使其在导通期间的功率损耗非常小。24V的漏源电压（V_DSS）和适中的栅极电荷（Q_g）使其特别适合用于高效的同步整流和电机驱动电路。

该器件支持宽范围的工作结温（-55°C 至 175°C），并具有150W的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性。其参数组合旨在优化系统效率与功率密度。

• 型号:STP130NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 90A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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