STP13N65M2技术参数详情：
STP13N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至430毫欧（@10V Vgs）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这为高压应用提供了高能效和强健性的保障。
其技术参数针对优化开关性能进行了精心设计，典型栅极电荷（Qg）仅为17nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。在壳温25°C下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，最大结温可达150°C，确保了在 demanding 应用环境下的功率处理能力和可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中关键开关元件的理想选择。
- 型号:STP13N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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