STP13N80K5

STP13N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心参数包括800V的漏源电压（V_DSS）和12A的连续漏极电流（I_D），为高压开关应用提供了坚实的电压阻断和电流承载能力。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为450mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，29nC的低栅极电荷（Q_g）特性有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业控制系统的理想功率开关选择。

• 型号:STP13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP13N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。