STP13NK50Z

STP13NK50Z是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心参数包括500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在管壳温度25°C下11A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过SuperMESH技术优化，在保证高耐压的同时，实现了较低的导通电阻（Rds(on)最大值480mΩ @ 10V, 6.5A），这有助于降低导通损耗，提升系统效率。此外，最大47nC的栅极电荷（Qg @ 10V）和4.5V的栅极阈值电压（Vgs(th)）使其具备良好的开关特性，易于驱动，适用于高频开关场景。器件最大功率耗散为140W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 环境下的可靠运行。

• 型号:STP13NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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