STP13NM50N技术参数详情：
STP13NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心规格包括500V的漏源电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id)，提供了稳健的功率处理能力。
其技术亮点在于优异的效率表现，在10V栅极驱动下导通电阻(Rds(On))低至320毫欧@6A，同时栅极电荷(Qg)仅为30nC。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其特别适用于对效率有严苛要求的开关电源和功率转换应用。器件采用TO-220AB封装，最大耗散功率100W，工作结温范围达-55°C至150°C，确保了在复杂环境下的可靠运行。
- 型号:STP13NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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