STP140N4F6技术参数详情：
STP140N4F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用TO-220封装，关键电气参数包括40V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流，具备处理大功率的能力。
其核心优势在于应用了先进的STripFET F6技术，旨在实现极低的导通电阻，从而显著降低传导损耗，提升系统整体效率。该MOSFET适用于4.5V至10V的栅极驱动电压范围，便于驱动电路设计，主要面向同步整流、DC-DC转换、电机驱动等高效率、高频率的开关电源应用场景。
- 制造商产品型号：STP140N4F6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 80A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：168W（Tc）
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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