STP140N8F7

STP140N8F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术开发的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件核心优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡，其漏源电压（Vdss）为80V，在25°C壳温下可连续通过90A电流。

其关键电气参数表现突出：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至4.3毫欧（@45A），能显著降低传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为96nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STP140N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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