STP14NF12FP技术参数详情：
STP14NF12FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。其核心优势在于结合了120V的漏源电压与8.5A的连续漏极电流处理能力，并依托STripFET II技术实现了低至180mΩ的导通电阻，能有效降低导通损耗，提升系统整体能效。
该器件具备快速开关特性，其最大栅极电荷仅为21nC，输入电容为460pF，有利于在高频开关应用中减少驱动损耗。其设计支持10V标准栅极驱动，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，适用于各类中功率开关电源和电机控制电路。
- 型号:STP14NF12FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 120V 8.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:120 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STP14NF12FP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
