STP150N3LLH6技术参数详情：
STP150N3LLH6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件隶属于STripFET VI系列，应用DeepGATE技术，核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的优化组合。
其关键参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V Vgs和40A Id条件下，其导通电阻典型值低至3.3毫欧，显著降低了传导损耗。同时，最大仅40nC的栅极电荷（@4.5V）确保了高效的开关性能，适用于高频操作。这些特性使其成为提升功率转换系统效率的理想选择。
- 型号:STP150N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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