STP150NF04技术参数详情：
STP150NF04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括40V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流承载能力。
其最显著的技术优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为7毫欧，能有效降低导通损耗，提升系统效率。同时，150nC（最大值）的栅极电荷确保了良好的开关性能。这些特性使其非常适合用于中低电压、大电流的高效率功率开关与转换应用。
- 型号:STP150NF04
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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