STP15N60M2-EP技术参数详情：
STP15N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2-EP产品系列。该器件设计用于高压、高效率的功率开关应用。
其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流额定值，提供了坚固的耐压与载流能力。关键性能亮点在于其优异的动态与静态特性平衡：极低的导通电阻（最大378mΩ @ 5.5A, 10V）确保了最小的传导损耗，而较低的栅极电荷（最大17nC @ 10V）则有利于实现高速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。
- 型号:STP15N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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