STP15NK50ZFP技术参数详情：
STP15NK50ZFP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）与低至340毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压开关应用中有效降低导通损耗，提升能效。
其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压下即可实现低导通阻抗，同时最大栅极电荷（Qg）仅为106nC，有利于实现快速的开关切换并控制驱动损耗。器件采用TO-220FP全塑封装，在壳温条件下支持14A的连续电流和40W的功率耗散，工作结温范围宽达-50°C至150°C，为各种电源转换和电机控制应用提供了坚固可靠的解决方案。
- 型号:STP15NK50ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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