STP15NM60N

STP15NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件采用先进的垂直沟槽技术，核心优势在于实现了600V高阻断电压与低导通电阻（Rds(on)）的良好平衡，旨在优化高压开关应用的效率。

其关键电气参数包括：在管壳温度25°C下，连续漏极电流额定值为14A；在10V驱动电压下，导通电阻典型值低至299毫欧。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性有助于实现快速的开关瞬态，减少开关损耗。器件采用TO-220AB封装，最大功耗为125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合要求高可靠性的工业环境。

• 型号:STP15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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