STP160N4LF6技术参数详情：
STP160N4LF6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的DeepGATE产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心优势在于其卓越的功率处理能力与低损耗特性。
其规格参数定义了高性能开关的核心：漏源电压（Vdss）40V，在壳温25°C下连续漏极电流（Id）高达120A。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下，Rds(On)最大值仅为2.9毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为181nC，有助于实现高效的开关性能。该器件设计工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），最大功率耗散为150W，为高可靠性应用提供了坚实基础。
- 型号:STP160N4LF6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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