STP16NF06技术参数详情：
STP16NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。
其技术优势主要体现在极低的导通损耗和良好的开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为100毫欧 @ 8A，这能有效降低器件在导通状态下的功率耗散。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值13nC @ 10V）有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计，从而提升整体系统的效率和频率响应。
- 型号:STP16NF06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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