STP180N10F3技术参数详情：
STP180N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用TO-220封装，设计用于处理高达100V的漏源电压和120A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下典型值仅为5.1毫欧，能显著降低传导损耗。
此外，该器件具备较低的栅极电荷（最大114.6nC @ 10V），有利于实现高效率的高频开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和315W的最大功率耗散能力，确保了在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换等应用的理想选择。
- 型号:STP180N10F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.1 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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