STP180N55F3

STP180N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，旨在最大化功率转换效率。

其关键电气参数包括55V的漏源电压（V_DSS）和高达120A（T_C=25°C）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为3.8毫欧（@60A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。

这些特性使其非常适合应用于需要高效能和高可靠性的中高功率领域，例如开关电源、电机驱动和电源管理模块。

• 型号:STP180N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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