STP18N65M5

STP18N65M5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压和15A的连续漏极电流处理能力，为高压、中等功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为220毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（31nC @ 10V）和输入电容确保了快速的开关特性，有助于提升开关频率并减少驱动损耗，从而优化系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和照明系统等应用中高效、可靠的功率开关选择。

• 型号:STP18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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