STP19NB20技术参数详情：
STP19NB20是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其200V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id）额定值，配合低至180毫欧的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通状态下的功率损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC，这有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统整体效率。器件采用TO-220AB通孔封装，结温高达150°C，散热性能良好，适用于对热管理有要求的功率应用场景。
- 型号:STP19NB20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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