STP1N105K3技术参数详情：
STP1N105K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心规格为1050V漏源电压（Vdss）与1.4A连续漏极电流（Tc），采用TO-220通孔封装，设计用于中低功率的高压开关场景。
其技术亮点在于通过SuperMESH3技术实现了高压与低导通特性的平衡，最大导通电阻为11欧姆（@10V，600mA）。同时，其动态参数经过优化，最大栅极电荷（Qg）低至13nC，输入电容（Ciss）最大为180pF，这有助于降低开关损耗并简化驱动设计。器件支持±30V的栅源电压，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP1N105K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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