STP200NF03

STP200NF03是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合，其漏源电压（V_DSS）为30V，在管壳温度下连续漏极电流（I_D）高达120A。

其关键技术参数包括：在10V栅极驱动、60A电流条件下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为3.6毫欧，这极大地降低了传导损耗。同时，140nC的栅极电荷（Q_g）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流开关等应用中提升系统效率与功率密度的理想选择。

• 型号:STP200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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