STP200NF04技术参数详情：
STP200NF04是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于低压、大电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力的结合。
在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至3.7毫欧（@90A），这显著降低了功率损耗和温升。器件在壳温条件下可支持高达120A的连续漏极电流，最大功率耗散为310W，结温工作范围从-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。这些参数使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STP200NF04
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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