STP20N60M2-EP技术参数详情：
STP20N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件设计用于高电压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（VDSS）和13A的连续漏极电流（ID），提供了坚固的电压阻断能力和可观的电流处理容量。
采用先进的超结技术，该MOSFET在导通电阻与开关性能之间取得了优异平衡，有助于降低导通损耗并提升开关频率。TO-220封装形式确保了良好的功率耗散能力（110W），并便于集成散热解决方案。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）和电机控制等高效能功率转换设计的理想选择。
- 制造商产品型号：STP20N60M2-EP
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M2-EP
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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