STP20NE06L技术参数详情：
STP20NE06L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于结合了60V的漏源电压和20A的连续漏极电流处理能力，适用于中等功率等级的开关应用。
该器件基于STripFET技术，实现了优异的导通特性，其导通电阻在10V Vgs下最大仅为70毫欧，有助于降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（最大20nC @5V）确保了快速的开关瞬态，能有效提升高频开关电源等应用的效率。其设计兼顾了性能与鲁棒性，工作结温高达175°C。
- 型号:STP20NE06L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP20NE06L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
