STP20NF06L

STP20NF06L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达20A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流余量。

其最突出的技术优势在于极低的导通阻抗与快速的开关特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为70毫欧（@10A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大7.5nC @10V）和输入电容（Ciss，最大400pF @25V）确保了高效的开关性能，有利于提升系统频率并降低驱动需求。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STP20NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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