STP20NM60FD技术参数详情：
STP20NM60FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低至290毫欧（@10A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压环境下显著降低导通损耗，提升系统能效。
其电气特性针对高效开关应用进行了优化，具备20A（Tc）的连续电流处理能力和仅37nC（@10V）的低栅极电荷（Qg），这有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功耗192W（Tc），工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性与强大的功率输出能力。
- 型号:STP20NM60FD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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