STP20NM65N技术参数详情：
STP20NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与15A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好结合。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值表现优异，同时最大栅极电荷（Qg）仅为44nC，这有助于降低开关过程中的能量损失，提升电源系统的整体效率。器件支持高达150°C的结温，确保了在高温环境下的工作可靠性。
综合来看，STP20NM65N凭借其高耐压、低导通电阻和优化的动态参数，主要定位于开关电源、电机驱动及功率转换等对能效和可靠性要求较高的工业与消费电子领域。
- 型号:STP20NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1280 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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