STP21N90K5

STP21N90K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（V_DSS）与低至299mΩ的导通电阻（R_DS(on)）的出色组合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗，提升整体能效。

在开关性能方面，其43nC的低栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关场景。器件额定连续漏极电流（I_D）为18.5A（T_C），最大功耗250W，工作结温范围-55°C至150°C，确保了在工业级功率转换应用中的高可靠性与稳健性。

• 型号:STP21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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