STP220N6F7

STP220N6F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于高达120A的连续漏极电流处理能力与低至2毫欧的极低导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这显著降低了功率转换过程中的传导损耗。

该器件设计用于60V的漏源电压环境，栅极驱动电压为10V，并具备较低的栅极电荷（最大100nC @ 10V），有助于实现高效率的快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和237W的最大功耗能力，确保了其在 demanding 应用中的高可靠性与稳健性。

• 型号:STP220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:237W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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