STP22N60M6技术参数详情：
STP22N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id）规格下，实现了极低的导通电阻（典型值230mΩ @ 10V）与栅极电荷（典型值20nC @ 10V），这一组合显著降低了开关损耗和导通损耗。
其优化的动态特性，包括较低的输入电容，有助于提升开关频率和系统效率。采用TO-220封装，最大功耗为130W，工作结温范围达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这款MOSFET主要面向高效率开关电源、工业电机控制及新能源逆变器等中高功率应用，为设计者提供了兼顾性能与成本的高性价比解决方案。
- 制造商产品型号：STP22N60M6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 15A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：230 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：130W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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