STP23NM60ND技术参数详情：
STP23NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，设计用于高电压、高电流的开关应用。
其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压和19.5A的连续漏极电流，提供了强大的功率处理能力。关键性能优势体现在低至180毫欧的导通电阻和仅69nC的栅极总电荷，这共同实现了较低的导通损耗与开关损耗，有助于提升系统效率并简化驱动设计。
- 型号:STP23NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:69 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2100 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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