STP24N60M6技术参数详情：
STP24N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源击穿电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术核心基于ST专利的MDmesh M6平台，该技术通过优化内部结构，在保证高耐压的同时有效降低了导通电阻，从而实现了更低的导通损耗和更高的开关效率。这使得它非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。
总体而言，STP24N60M6是一款针对工业级开关电源、电机驱动及功率转换系统优化的功率开关器件，平衡了电压耐受性、电流处理能力与开关性能，是构建高效可靠功率系统的关键元件之一。
- 型号:STP24N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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